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          富士通推出全新8Mb FRAM內存,讀寫壽命百萬億次-公司電話號碼查詢

          2021-11-19 08:14:33 標簽:富士通

          富士通(確切地說是富士通半導體內存解決方案有限公司)日前宣布,推出全新的8Mb FRAM內存,容量翻番,并支持并行接口,讀寫壽命第一次做到了100萬億次!

          FRAM就是鐵電存儲器,一種隨機存取存儲器,擁有SRAM、DRAM級別的讀取速度和壽命,而且是非易失性的,斷電不丟失數據。

           富士通推出全新8Mb FRAM內存,讀寫壽命百萬億次

          它的缺點是容量密度做不大,因此不可能徹底取代DRAM、SRAM,但在一些對容量沒有過高要求、對壽命/速度敏感的場景和設備上非常合適,尤其是高速工業場景。

          其實,鐵電存儲技術不是新鮮玩意兒,1921年就有了這一概念。雖然直到1993年才由美國RAmtron公司開發出第一個4Kb FRAM產品,但近些年來已經得到了廣泛應用。

           富士通推出全新8Mb FRAM內存,讀寫壽命百萬億次

          富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具備兼容SRAM的并行接口,供電電壓范圍1.8-3.6V,擁有超長讀寫壽命的同時,比以往產品訪問速度快了約30%,快頁模式下訪問速度僅25ns,持續傳輸率媲美SRAM。

          同時功耗也更低,最大寫入電流只需18mA(毫安),最大待機電流更是150uA(微安),分別降低了10%、50%,

          它采用了44針的TSOP封裝,和上代4Mb FRAM一樣保持兼容,還新增了48針的FBGA封裝。

           富士通推出全新8Mb FRAM內存,讀寫壽命百萬億次

          富士通8Mb FRAM內存現已提供評估樣品,量產時間未公布。